牢記囑托 感恩奮進 | 產業基礎研究院邁出科技自立自強堅實步伐
題記：將創新偉力銘刻于奔騰不息的時代浪潮，將殷殷囑托熔鑄進日夜拼搏的奮進征程。以敢為人先的魄力向科技巔峰發起沖鋒，以舍我其誰的擔當在技術前沿開疆拓土。
2023年5月12日，習近平總書記親臨中國電科產業基礎研究院考察調研時指出，加快建設科技強國是全面建設社會主義現代化國家、全面推進中華民族偉大復興的戰略支撐，必須瞄準國家戰略需求，系統布局關鍵創新資源，發揮產學研深度融合優勢，不斷在關鍵核心技術上取得新突破。他勉勵科技工作者再接再厲、勇攀科技高峰，不斷攻克前沿技術，打造更多科技自立自強的大國重器。
囑托，聲聲入耳；前行，力量倍增。
產業基礎研究院深入學習貫徹習近平總書記重要講話精神，牢記“國之大者”，加快提升戰略能力，立足產業基礎，聚焦科研前沿，加快推進先進材料、高端芯片、核心元器件、集成電路等領域關鍵核心技術攻關，不斷搶占科技競爭和未來產業制高點，著力增強核心功能和提高核心競爭力，用一項項“從0到1”的原創突破，一件件“從有到優”的大國重器，譜寫了矢志創新的擔當篇章。
瞄準國家戰略需求，科技創新日新月異
面對紛繁復雜的外部形勢，產業基礎研究院主動適應新形勢、研究新情況、探索新規律，強化頂層設計和體系攻關，推動重大科技成果不斷涌現。量子級聯激光器（QCL）外延材料研發領域開創性地構建了多維協同創新范式，率先實現了室溫連續波模式下的顛覆性跨越，單模最大功率取得重大突破，為多個戰略領域提供革命性光源解決方案。開發出8英寸碳化硅襯底的氮化鎵高電子遷移率晶體管外延技術，創新應力調控與生長動力學優化技術，實現了表面光亮無裂紋的外延層。大功率GaN功率芯片與Si基幅相多功能芯片異構集成技術、星間光通信核心光電器件自主研發、無線電偵測技術與寬帶高功率噪聲干擾技術等技術相繼取得重要進展。我們以“創”的智慧，在微電子、光電子、MEMS芯片技術領域不斷突破，在創新發展的時代畫卷上鐫刻鮮明的奮斗足跡。
系統布局創新資源，重大任務勇毅前行
“5、4、3、2、1，點火！”從神舟二十號成功發射、神舟十九號順利返回，到嫦娥六號首次月背采樣，每次航天任務“使命必達”，都離不開研究院的“硬核支撐”。我們深度參與載人航天、探火探月、北斗組網等重大工程任務，突破深空測控、天地通信、新型能源等關鍵技術，有力保障航天器精準入軌、高速對接、天地通話，確保航天器“飛得穩、對得準、聽得清、望得遠”，支撐我國航天事業闊步前進。以需求為牽引，強化提升應急生產、精準交付能力，攻克大功率微波器件、毫米波T/R和高精度組合導航系統等一大批事關新質戰斗力生成的尖端技術，助力裝備升級換代。我們以“拼”的精神，助力大國重器問鼎蒼穹，護航新質戰斗力加速生成，為國防現代化建設提供堅強支撐。
不斷攻克前沿技術，培育發展新質生產力
向新而行，開拓進取，踴躍承擔互聯網衛星、商業航天等關鍵載荷配套研制，面向5G/5G-A基站，氮化鎵功放、光通信外殼市場占有率繼續保持國內第一、世界第二，向低空經濟發力，慣性導航系統批量應用于無人機。為“聰明車”裝上“智慧眼”，MEMS傳感器助力新能源汽車實現不間斷厘米級定位精度，對自動駕駛汽車“全天候”精確定位定向。400G/800G數據中心用光接收芯片年發貨量首次突破1.5億顆大關，加速高端光電芯片在AI領域產業化應用。我們以“實”的干勁，在新賽道上加速領跑、在新機遇中乘勢而上，全面激活新質生產力的發展活力。
民品產業突飛猛進，改革發展朝氣蓬勃
聚焦主責主業，以技術突破引領產業升級。在核心元器件領域，RISC-V開源架構微控制器、高功率三模可重構器件等關鍵技術取得重大突破；在先進材料方向，大尺寸半導體材料研發進展顯著，成功研制國內首臺金剛石氮空位色心微波激射器，性能指標國際領先。化合物芯片技術團隊榮獲首屆“國家卓越工程師團隊”榮譽稱號，“民用5G氮化鎵”等兩項科研成果再次榮獲國家科技進步一等獎。落實戰略能力提升部署，加快推動研究院科技創新融合布局，聯合46所、47所、49所設立先進材料研發中心、集成電源研發中心、傳感器研發中心，提升上下游創新資源配置效益，同謀劃、重協同，加快突破關鍵核心技術。增強我院在產業鏈、供應鏈上的安全和韌性。我們以“韌”的毅力，深化產學研融合，加速推進技術成果轉化，為產業發展提供持續動力引擎。
兩度春秋，初心不改，重任在肩，實干為要。站在新的起點上，讓我們始終沿著習近平總書記指引的方向，以更高站位、更強擔當、更實舉措，銳意進取、勇攀高峰，奮力譜寫振興民族半導體高質量發展新篇章，為實現高水平科技自立自強、建設科技強國作出新的更大貢獻。
