《半導體技術》投稿指南
一、征稿范圍
半導體新材料的研發，半導體器件（CMOS器件、有機半導體器件、化合物半導體器件、半導體光電器件、薄膜晶體管、存儲器等）和技術，集成電路設計與應用，先進半導體制造技術和封裝技術，可靠性（功率器件可靠性、ESD技術等），檢測技術與設備等領域國內外的研究進展和最新研究成果。主要欄目：趨勢與展望，半導體材料與器件，半導體制備技術，集成電路設計與應用，封裝、檢測與設備。
為使您的文章符合標準化出版要求，并得到更加及時的處理，請您務必按照論文寫作模板和樣例（詳情請見編輯部官網下載中心）投稿，閱讀并了解本刊對于投稿的一些要求。
二、投稿方式
請登錄《半導體技術》網站（http://www.bdtj.cbpt.cnki.net）進入“作者投稿系統”在線投稿，稿件處理狀態可在網上查詢。如有問題請聯系編輯部郵箱bdtj1339@vip.163.com，或致電編輯部電話0311-87091339，進行咨詢。
三、投稿要求
1. 投稿前須準備好全部作者簽字、單位蓋章的版權轉讓協議和論文審查證明，在投稿系統中上傳電子掃描版。投稿作者必須遵守學術規范和準則，勿一稿多投，杜絕泄密、抄襲、剽竊等行為。
2. 來稿應論點明確、數據可靠、條理清晰、文字精煉，論文撰寫符合國家出版標準和規范。
3. 英文稿件要求語法規范、用詞準確、表述無誤。
4. 來稿請附第一作者及通信作者的聯系方式，包括通信地址及郵編、固定及移動電話、E-mail，以便及時與作者聯系。
5. 在稿件的最后一頁需附上作者簡介、第一作者近期1寸免冠證件照片（JPG格式）。若第一作者為在校學生，還需提供導師的個人簡介（作者簡介總數不超過3個），并確認導師是否同意投稿，且文中所有內容（例如：數據）已經核實準確無誤。
四、書寫格式
·題目要求不超過20字。
·署名作者及所在單位：提供中英文的單位全稱、所在城市和郵政編碼。
·中英文摘要：摘要宜用第三人稱寫明論文的目的、方法、結果和結論，中文250字左右。
·關鍵詞：中英文5~8個。
·中圖書分類號：采用中國圖書分類法（第五版）進行分類，國際圖書分類號采用EEACC分類。
·基金項目：在首頁頁腳標注項目名稱和批準號。
·縮略詞和物理量：正文部分英文縮略詞第一次出現時須寫出中英文全稱；物理量符號須分清大小寫、正斜體、上下角，第一次出現該符號時需給出其含義。
·圖、表和公式：按在論文中出現的先后順序編號并排在正文相應位置，在圖下面標注圖題、圖注。有分圖時分圖用（a）（b）（c）等標識并給出中文分圖題，插圖最好用矢量圖格式。表格應簡明，宜用三線表。圖題和表題要求中英文對照。圖和表里的文字用中文。照片須清晰，像素不低于600 dpi。圖、表中出現的物理量名稱和符號須與正文一致，不要出現正文中沒有提及或與正文內容無關的文字或符號。公式在文章中以阿拉伯數字連續編號，需用Mathtype公式編輯器編輯。
·參考文獻：按在正文中出現的順序編號，用方括號標于引文處右上角，并與文末參考文獻序碼對應一致。請勿引用尚未公開發表的資料，應符合各類文獻著錄規則，著錄項目齊全。
期刊的格式：作者（列前三名，姓前名后，英文全部大寫），等. 文章題目（英文首字母大寫）[J]. 刊名（每個英文單詞首字母大寫），發表年份，卷（期）：起止頁碼.
書籍的格式：作者（列前三名，姓前名后，英文全部大寫），等. 書名（英文首字母大寫）[M]. 出版地：出版社，出版年份：參考起止頁碼.
會議論文集格式：作者（列前三名，姓前名后，英文全部大寫），等. 文章題目（英文首字母大寫）[C] // 會議名稱. 會議召開的城市，國別，年份：起止頁碼.
·作者簡介（含導師簡介）：姓名（出生年—），性別，籍貫（出生地，如：河北石家莊人），學歷，職稱，從事專業或研究方向。
五、審稿流程
收到稿件后，編輯部將通過“科技期刊學術不端文獻檢測系統”、網絡搜索文獻對比和編輯部綜合審查等對稿件進行初審（3~5個工作日），無論初審通過與否，編輯部都會盡快告知。初審通過后的稿件將送至相關領域專家進行“雙盲審稿”，編輯部于40天左右將評審意見發給作者。作者應將修改后的文稿及時（1周左右）返回編輯部，審閱通過后將進行編輯加工和印刷出版。
六、審稿費、版面費、稿酬、樣刊
遵照中國科協有關文件精神，凡向本刊投稿者須交納論文審理費，凡在本刊發表論文者須交納版面費。具體事項E-mail通知。論文刊出后，將向作者酌付稿酬，寄送樣刊。
七、聲明
作者向《半導體技術》投稿，意味著在稿件被錄用后作者同意把該文的版權（含光盤、網絡等各種介質）轉讓給《半導體技術》編輯部。所有錄用稿件一經發表即按國家標準付酬（本刊已被“中國期刊網”、中國學術期刊（光盤版）、“萬方數據－數字化期刊群”、“中文科技期刊數據庫”等收錄，所付稿酬包括所有收錄媒體的著作權使用費，所有署名作者向期刊提交文章發表的行為即視為同意我社上述聲明）。
